单晶硅太阳电池铝与硅外延吸杂对比

摘要：

本文对直拉单晶硅材料生长外延重掺硼的晶硅薄膜，并在高温下烧结与以往的铝吸杂比较，通过改变背场烧结的工艺条件来改善电池性能。并对铝背场吸杂的一些不稳定原因做部分分析，以及对工艺过程中硅中氧和少子寿命的变化，电池最终转换效率的比较，得出这一工艺的可行性。

关键词： 烧结 重掺硼 铝背场 生长外延

作者: 左燕 李咏梅 段正刚 施尚林 任丙彦 张维连

作者单位: 西安佳阳新能源有限公司,西安710016 河北工业大学半导体材料研究所,天津300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）