微波反射光电导法测半导体中少数载流子寿命
微波反射光电导法是测量少子寿命的标准方法。本文主要讨论了微波反射光电导实验装置对少子寿命的影响，通过比较两种光源和对测试装置的灵敏度分析来优化实验设备。通过理论分析讨论了两种光照条件――脉冲光照和调制光照下过剩少数载流子分布以及比较两种光源的优缺点。结果发现：调制光源比较容易实现而脉冲光源的测量速度较快。若考虑系统的数据采集速度，应采用脉冲光源。并且通过小注入条件下反射微波信号的变化正比与样品的电导变化引入了灵敏度的概念。对灵敏度的分析中可以发现：在硅片背面的合适位置放置金属反射器可增加实验过程中的灵敏度，即增加实验中的可测信号。
微波反射光电导法 等价电路 载流子 半导体
陈凤翔 崔容强 徐林 孟凡英 孙铁囤 周之斌
上海交通大学物理系太阳能研究所,上海200240
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2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）