新型压电材料Ca3NbGa3Si2O14单晶

摘要：

新型压电单晶Ca3NbGa3Si2O14属硅酸镓镧的同系物，采用提拉技术生长。晶体为透明略带黄色，属三方晶系，32点群。利用TU-1901 紫外可见光分光光度计测定透过波段为287-800nm。在可见光范围内用椭圆偏振光谱法测定其非常光折射率ne大于寻常光折射no，属于正光性单轴晶。通过一种新方法即利用偏振光分光光度计测量透过率极值，间接计算了旋光度和旋光率，此单晶属右旋晶体，旋光率ρ非常大。在波长670nm处，ρ为31.25o/mm；在波长307nm处，ρ为218.75o/mm。并计算了旋光率色散Boltzmann系数，绘制了旋光率色散曲线。

关键词： 压电材料 单晶 折射率 透过率 旋光率 提拉生长 硅酸镓镧

作者: 魏爱俭 祁海峰 王宝林 袁多荣 王增梅

作者单位: 山东大学信息学院光学系,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学信息学院光学系,济南,250100 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）