掺硅InGaN和GaN的光学性质研究

摘要：

本文采用光致发光方法，测量并分析了采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在蓝宝石衬底上的生长的掺硅InGaN 和掺硅GaN 材料的光学性质。在室温下，InGaN 材料主峰位置437.0nm，半高宽为14.3nm，GaN 材料带边峰位置为363.4nm，半高宽为9.5 nm。在20k 到293k 范围内的变温光荧光测量，发现随测量温度升高，样品的发光强度降低，全半高宽增大，GaN 材料的带边峰值能量出现红移现象，InGaN 材料的带边辐射则出现红移-蓝移－红移的反常现象，能量峰值位置出现”S-shaped”的形状，本文对峰值能量随温度的变化进行了解释。

关键词： 半导体材料 GaN基化合物 光学性质 化学气相沉积

作者: 康凌 刘宝林

作者单位: 厦门大学物理系,福建厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）