大功率InGaAs/AlGaAs SCH DQW激光器光束质量因子M<”2>的研究

摘要：

本文利用非傍轴矢量矩理论，分析了940 nm InGaAs/AlGaAs 分别限制双量子阱(SCH DQW)激光器在垂直于p-n 结面方向上的光束质量因子2 M⊥。在以往的半导体激光器的光束质量因子的研究中，往往忽略了包层中光场的贡献，因而得到的2 M小于1 的结论。但是，当半导体激光器的有源层远小于波长时，大部分的光场将渗透到包层中，因此，包层中的光场在分析中是不可忽略的。本文给出非傍轴半导体激光2 M⊥的精确表达式，并通过实验表明，InGaAs/AlGaAs 激光器的2 M⊥大于1。

关键词： InGaAs AlGaAs 双量子阱激光器 光束质量因子 非傍轴矢量矩

作者: 吴翔 陆祖康 王攸

作者单位: 浙江大学光电系国家光学仪器工程中心,杭州,310027 日本滨松光子学株式会社中央研究所材料研究室,滨北市,静冈县,日本434-8601

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）