高质量ZnO薄膜的L-MBE 法生长及其特性研究
本文采用激光分子束外延(L-MBE)的方法在Al2O3(0001) 衬底上生长了沿C轴高度取向一致的ZnO薄膜,并对其光学及结构特性进行了研究。以波长为325nm的氙灯(Xe 900)作为激发源,在室温下测量了薄膜的光致发光(PL)谱,观察到了380nm处的强的ZnO紫外近带边发射峰,其来源为自由激子的辐射复合。采用四晶高分辨X射线衍射仪(X`Pert MRD)对样品的结构特性进行了分析。XRD的测试结果表明,在蓝宝石C面生长的ZnO薄膜具有<0001>取向,衍射曲线中除了ZnO(0002)以及ZnO(0004)面的衍射峰之外没有发现其它取向的衍射峰。另外,ω-2θ扫描中,在衬底温度为300oC下生长的ZnO膜中,ZnO(0002)面衍射峰的半高全宽(FWHM)为0.11度。而ZnO(102)面Φ扫描图样中出现了等间隔(60度)的六个衍射峰,表明了晶体良好的六方对称性。
ZnO薄膜 激光分子束外延 X射线衍射 光致发光
杨晓东 张景文 徐庆安 贺永宁 王洪波 张伟风 侯洵
西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068 西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049 河南大学物理与信息光电子学院,河南开封,475000 西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068;河南大学物理与信息光电子学院,河南开封,475000
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2004-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)