有机薄膜场效应晶体管的研制
在这个研究中, 我们采用并五苯作有源层、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)做栅绝缘层,利用全蒸镀法制备了有机薄膜场效应晶体管。源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由并五苯和PMMA充当,栅极采用铝电极。利用光刻制备沟道长度为20 微米的源极和漏极后,依次真空沉积并五苯和PMMA和铝电极。得到器件的电子迁移率为0.167cm2/Vs。
有机薄膜场效应晶体管 全蒸镀法 光刻制备
张宏梅 石家纬 王伟 梁昌 全宝富 刘明大 郭树旭
吉林大学微电子与固体电子学学院,吉林长春,130023
国内会议
杭州
中文
2004-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)