P-I-N结构纳米硅太阳电池的计算机性能仿真

摘要：

本文运用宾夕法尼亚大学开发的AMPS 软件，模拟了采用不同晶化度的nc-Si作P-I-N结构太阳电池的I层的性能；研究了不同I层厚度的情况下电池的Jsc, Voc, FF, Eff的变化。模拟结果说明，晶化度为42.78％的纳米硅作I层，得到了23.986﹪的转换效率；当I 层厚度在500nm 的时，太阳电池光电效率Eff有最大值。

关键词： 太阳电池 计算机模拟 性能仿真 纳米硅

作者: 顾江敏 何宇亮 于化丛 崔容强 周之斌 杨宏 王鹤 孟凡英 赵亮 彭华

作者单位: 上海交通大学物理系太阳能研究所,上海,200240 江苏威孚纳米科技发展有限公司,无锡,214028 西安交通大学光电子系太阳能研究所,西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）