RTP对磷在硅中扩散的影响

摘要：

本文研究了太阳电池发射极制造过程中，快速热处理（RTP）对磷在硅中扩散的影响。扩展电阻和方块电阻测试结果显示，950℃和1100℃下，短时间的RTP 处理得到了在常规热处理条件下长时间才能得到的pn 结结深，说明RTP 对磷扩散有明显的促进作用。不同扩散时间、扩散温度下得到的数据比较显示，扩散时间越长，扩散温度越高，pn结就越深。这和扩散的传统理论是一致的。

关键词： 热处理 磷扩散 太阳电池 发射极

作者: 花聚团 杨德仁 席珍强 樊瑞新 阙端麟

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）