氮化硅双层减反射薄膜的减反射效果研究

摘要：

本文采用普通热氧化、快速热氧化和氧等离子体氧化三种不同的氧化方法制备SiOx，然后用PECVD 生长SiNx 形成双层减反射膜，并测试其减反射率，与单层SiNx 薄膜的减反射效果对比。结果表明：采用氧等离子体和快速热氧化得到SiOx＋SiNx 双层膜减反射率在小于600nm 波段时低于单层的SiNx 薄膜，而在大于600nm 波段时高于单层SiNx 薄膜。同时采用常规热氧化得到的双层膜在低于800nm 波段减反射率较高，减反射效果不及单层的SiNx 减反射膜。

关键词： 氮化硅 双层薄膜 减反射率 热氧化

作者: 龚灿锋 席珍强 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）