铸造多晶硅晶界复合特性的EBIC研究

摘要：

本文利用电子束诱生电流（EBIC）对铸造多晶硅中晶界的复合特性进行了研究。EBIC 结果显示不同类型的洁净晶界在300 K 和100 K 下的都未呈现明显的EBIC 衬度，说明洁净晶界的复合能力很弱。过渡族金属（Cu，Ni 和Fe）的沾污能明显提高晶界在常温下的复合能力。不同种类的金属沾污对晶界的复合能力的影响不同，即Cu > Ni > Fe.

关键词： 电子束诱生电流 晶界 铸造多晶硅 复合能力

作者: 陈君 杨德仁 席珍强 阙端麟 关口隆史

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027 物质材料研究所纳米实验室筑波 305-0044 日本

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）