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用质谱法测量SiH4辉光放电中性基团的空间分布

本文设计了一个取样位置能在电极间自由调节的取样装置,用质谱法首次测量了SiHn (n=0-3)基团的空间相对丰度分布。SiH4 的消耗率是计算中性基团的关键参量,一种线性拟合的方法被提出来计算SiH4 的消耗率。SiHn (n=0-3)基团的空间相对丰度分布表明:在等离子体空间,SiH2、SiH3 的丰度要比Si 和SiH 大,这表明SiH2 和SiH3 可能是沉积薄膜的主要基团。

质谱法 中性基团 消耗率 空间分布 线性拟合

王照奎 林揆训 林璇英 邱桂明 祝祖送

汕头大学物理系,汕头,广东515063

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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)