高电导率P型微晶硅薄膜材料

摘要：

本文对获得高电导率P 型微晶硅薄膜材料进行了研究。当硅烷浓度（SC= SiH4/（H2+ SiH4））小于1％时，材料的晶化率和激活能大，电导率小；随着硅烷浓度的提高，材料的晶化率和激活能单调减小，电导率增大；SC>1﹪，材料的电导率由于材料中非晶成分的增多而减小。随反应气压的降低，材料电导率增大，激活能减小。SC=1％，反应气压50～70Pa，材料的晶化率在40％左右，电导率在0.06S/cm，激活能为0.065eV，薄膜的厚度小于50nm。

关键词： 微晶硅 电导率 激活能 晶化率 薄膜材料

作者: 朱锋 魏长春 张晓丹 孙建 高艳涛 赵颖 耿新华

作者单位: 南开大学光电子所 天津300071 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）