微晶硅电池稳定性研究

摘要：

对高压耗尽法（HPD-PECVD）制备的不同晶化率微晶硅材料及电池进行自然衰退和光致衰退实验。实验结果表明，本征微晶硅材料存在氧吸附及后氧化现象，这使得材料的暗电导率上升，光敏性变差，这一现象同材料的晶化情况密切相关。而微晶硅电池最外面的非晶硅N 层可以起到阻挡层作用，电池并无自然衰退现象。在光衰退实验中，电池效率η、短路电流密度Jsc、开路电压Voc 在光照后有不同程度的上升。最后对实验结果进行了讨论。

关键词： 微晶硅 高压耗尽法 电池稳定性

作者: 王岩 耿新华 侯国付 任慧志 管智赟 朱峰 郭群超 薛俊明 孙建 赵颖

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 光电信息技术科学教育部重点实验室 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）