低温快速生长多晶硅薄膜

摘要：

本文以SiCl4 和H2 为气源，用等离子体化学气相沉积技术，通过控制和选择工艺条件，在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜，沉积速率高达3./s 以上。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1 和10-3S-1·cm-1。本文研究工艺条件与沉积速率的依赖关系和对薄膜结晶度的影响。

关键词： 多晶硅薄膜 SiCl4 生长速率 晶化度

作者: 黄锐 林璇英 姚若河 黄文勇 余云鹏 林揆训 魏俊红 余楚迎

作者单位: 汕头大学物理系 汕头515063 华南理工大学应用物理系 广州510641 广东韩山师范学院物理系 潮州521041

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）