不同硒化时间制备CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜的Raman谱分析
我们由溅射预制层后两步硒化法制备了用于太阳电池的CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)合金薄膜,比较了直接升温到最终硒化温度而硒化时间不同制备的CIGS 薄膜的性质。结果显示:在5600C 硒化时间约为40 分钟时CIGS 薄膜质量最好。Raman 光谱测量清楚地显示出薄膜明显的结构区别。其结果与SEM 的相一致。
金属预制层后硒化 Raman 散射 太阳电池 薄膜
刘玮 田建国 孙云 李凤岩 何青 李伟
南开大学物理科学学院光子学中心,天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071
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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)