RTCVD制备多晶硅薄膜的性能参数研究

摘要：

研究了RTCVD 设备参数如：温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响，通过扫描电镜（SEM）、X 射线（XRD）、霍尔测试及电池模拟软件PC1D 描述了薄膜性质随各参数的变化规律性，提出改进薄膜性能的思路。

关键词： 多晶硅薄膜 太阳电池 薄膜性能

作者: 王磊 沈辉 胡芸菲 班群

作者单位: 中科院广州能源所太阳能室;中山大学珈伟实验室 中山大学理工学院 华南理工大学机械学院 中山大学理工学院;中山大学珈伟实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）