溅射后硒化法制备CuInSe2薄膜中的相变过程研究
制备性能良好的CuInSe2（简称CIS）薄膜材料对于CIS 太阳电池是至关重要的。一般情况下，CIS 吸收层可用多源共蒸发法、溅射后硒化法以及电沉积等方法制备，为了更好的控制薄膜的生长，相变过程的研究是非常重要的。本文通过一个由溅射后硒化制备的Cu/In/Se 多层膜系统，应用XRD，探测在不同的温度下，薄膜中物相的构成情况，依此研究薄膜在升温过程中的相变规律，找到CuInSe2d 的相变连接线。本研究表明，用溅射后硒化法制备的CuInSe2 的相变连接线为CuSe-InSe. 表明在CIS 形成过程中，应适当控制Cu/In 原子比、薄膜的温度以及温度变化速率，使三元相形成之前有尽量多的CuSe 相和InSe 相。任何原子的化学计量失配都会导致二元杂相的生成。
CIS 相变 连接线 铜铟硒薄膜 溅射后硒化法 薄膜材料
张加友 薛玉明 何青 李凤岩 刘维一 周志强 孙云 李长健 孙钟林
军事交通学院,天津300161;南开大学所,天津300072 南开大学所,天津300072
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2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）