靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响

摘要：

本文应用DC（直流）反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜，在固定的电源功率下，氩气流量为42.6sccm，氧流量为15sccm，溅射时间为30 分钟的条件下，通过控制靶基距改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量，当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷先短波后长波之后再短波；靶基距对消光系数k 影响较大；随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势，但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD 和SEM 表征发现，随着靶基距的增加TiO2 的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变，薄膜的表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。

关键词： 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率

作者: 王贺权 沈辉 巴德纯 汪保卫 闻立时

作者单位: 东北大学 沈阳110004;沈阳农业大学 沈阳110161 中山大学 广州510275 东北大学 沈阳110004 中国科学院广州能源研究所 广州510070 中国科学院金属研究所 沈阳110016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）