中心遮拦(Obscuration)对157nm 光刻性能的影响

摘要：

中心遮拦对157nm光刻性能的影响值得研究。本文通过光刻仿真软件PROLITH 中的向量衍射模型对影响进行定性分析。仿真试验主要针对于大数值孔径的情况，将传统照明、离轴照明(OAI)和相移掩模(PSM)应用于密集线条、孤立线条以及密集接触孔以确定中心遮拦的影响。结果显示：1）中心遮拦范围小于或等于10％时对光刻性能的影响较小；2）中心遮拦对孤立线条的影响比密集线条和密集接触孔明显；3）中心遮拦范围等于20％时，交替型相移掩模不再适用。

关键词： 中心遮拦 光刻 向量衍射 相移掩模

作者: 徐彧 李艳秋

作者单位: 中科院电工所,北京00080

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）