热丝化学气相沉积n型nc-Si:H薄膜及异质结太阳电池的研究

摘要：

本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n 型纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜，系统研究了沉积参数，特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态的影响，获得了器件质量的n 型nc-Si:H 薄膜。制备了nc-Si:H/c-Si HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer) 结构太阳能电池，研究了异质结结构参数对电池性能的影响，初步得到电池性能参数如下：Voc=483mV，Jsc=29.5mA/cm2，FF=70﹪，η=10.2﹪。

关键词： 热丝化学气相沉积 纳米晶硅 异质结 太阳能电池

作者: 张群芳 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 许颖

作者单位: 中科院研究生院物理系 北京100039 北京市太阳能研究所 北京100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）