射频PECVD高速沉积优质微晶硅薄膜

摘要：

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积优质微晶硅(μc-Si:H)薄膜。在等离子区屏蔽条件下，研究了沉积气压、射频功率、氢稀释度和电极间距等参数对μc-Si:H 薄膜的沉积速率和电学性质的影响。通过优化沉积参数，得到了沉积速率为8.7 . /s 的优质μc-Si:H 薄膜。

关键词： PECVD 微晶硅薄膜 高速沉积

作者: 周炳卿 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 谷锦华

作者单位: 中国科学院研究生院物理系,北京100039;内蒙古师范大学物理系,呼和浩特010022 中国科学院研究生院物理系,北京100039

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）