会议专题

P型纳米硅对不锈钢衬底非晶硅电池性能的影响

本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明,这种P层是复相结构材料,由尺寸3-5nm 的纳米晶粒镶嵌于非晶硅网络中构成。光学透视测量表明,由于量子尺寸效应,纳米硅P层具有宽的能带隙(1.96 eV)。利用这种P 层,n-i-p a-Si:H太阳能电池的性能得到改善,其Voc达到1.042V, 而利用微晶硅P层,在其它制备条件不变的情况下,a-Si:H太阳能电池的Voc只有0.526V.

非晶硅电池 纳米硅 不锈钢衬底 能带隙 太阳能电池

廖显伯 向贤碧 Wenhui Du Xieshen Yang Henry Povolny Xunming Deng

中科院半导体所 Department of Physics and Astronomy,University of Toledo,Toledo,OH 43606,USA

国内会议

第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

深圳

中文

2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)