射频磁控溅射法制备透明导电薄膜
本文报道了采用陶瓷靶射频磁控溅射方法，在7059玻璃及P型硅片上制备了太阳电池用窗口层材料（ITO）及背反射器绒面ZnO材料，给出了工艺条件的优化结果。获得的ITO 薄膜的方块电阻随着沉积温度的上升而降低；随功率上升从最低值上升而后降低到最低值；随反应气压变化先上升然后下降；平均透射率保持在80％左右，当衬底温度200℃，气压0.2Pa，功率为200W 时沉积的ITO 膜的方块电阻最低。而绒面ZnO 材料的方块电阻随衬底温度、功率、工作气压的增加单调降低。当衬底温度为220℃，压力0.2Pa，功率为400W 时得到的绒面ZnO 电阻率最低，达到10－4Ωcm，平均反射率达到20﹪左右，X 射线衍射谱（XRD）显示为单一的（002）取向。采用背反射结构太阳电池的电流比不采用背反射结构的电流要大。
射频磁控溅射法 陶瓷靶 透明薄膜 太阳电池 导电薄膜
刁宏伟 胡志华 郝会颖 廖显伯
中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,中国北京100083
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2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）