绝缘衬底上薄膜电池单面电极引出的研究

摘要：

用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层，制备成SOI衬底，用快速化学汽相沉积（RTCVD）法在此衬底上制备硅薄膜，热扩散形成PN 结制备太阳电池。电池电极采用四周型和叉指型两种类型全部由正面引出。理论分析计算了两种电极引出的电池的串联电阻；并给出了实际电池的I-V 测试结果，比较了光谱响应的结果。表明叉指型电极引出方式制备的电池性能比四周型的略好。

关键词： 化学汽相沉积 太阳电池 串联电阻 硅薄膜 绝缘衬底

作者: 许颖 吴虎才 励旭东 王文静 廖显伯

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京100083;北京市太阳能研究所,北京100083 北京市太阳能研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）