氢稀释调制技术制备纵向均匀的优质微晶硅薄膜

摘要：

本文采用氢稀释调制技术，成功地控制非晶孵化层厚度小于10 nm，获得了晶化度纵向均匀的微晶硅薄膜。微结构和电学性质研究表明：采用氢稀释调制技术在薄膜晶化度不变的条件下，大大改善了薄膜的质量。最终得到了XC =75﹪，Ea=0.41eV，σd 在10-7~10-6.-1cm-1，红外吸收谱中无氧峰的优质微晶硅薄膜。

关键词： 热丝化学气相沉积 微晶硅薄膜 氢稀释调制 非晶孵化层 纵向均匀性 氢稀释调制技术

作者: 谷锦华 朱美芳 刘丰珍 周炳卿 刘金龙 李国华 丁琨

作者单位: 中国科学院研究生院物理系,北京100039 中国科学院半导体研究所,北京100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）