N+离子注入ZnO薄膜表面性质的变化
本实验采用N+离子注入ZnO 薄膜,ZnO 薄膜用直流反应磁控溅射法制备。经快速热处理(RTP)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR 分光光度计等比较了N+离子注入后ZnO 薄膜的电阻率,导电类型,表面形貌,可见光透过率等的变化。
直流反应磁控溅射 离子注入 p 型掺杂 快速热处理
王海燕 段启亮 陈泳生 靳瑞敏 杨仕娥 卢景霄
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 450052
国内会议
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2004-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)