SiNx薄膜的稳定性研究
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在硅片表面生长氮化硅薄膜（SiNx），然后将这些样品分别放置于干燥器，空气和去离子水中，利用傅立叶红外（FTIR）研究不同温度下所生长的氮化硅薄膜在不同环境下的稳定性。研究发现：低温下所生长的氮化硅薄膜在水中或在空气中在很短的时间内就会被氧化；其次，高温下所生长的氮化硅薄膜无论在哪种环境下都有很好的稳定性。这些结果表明，氮化硅的氧化与其生长温度有关，即不同温度下所生长的非计量比氮化硅中硅与氮的结合能不同，而且水的存在会加剧氮化硅的氧化速度。
氮化硅 化学气相沉积 等离子体 薄膜生长
席珍强 杨德仁 龚灿锋 阙端麟
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
国内会议
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2004-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）