多孔硅光子晶体制备的影响因素
具有规则图案的多孔硅可以形成光子禁带，同时易与微电子电路集成的特点使得它作为光子晶体成为现在的一个热点，但是由于制备这种规则的多孔阵列有很多影响因素，所以对于它的研究很有必要。我们在实验中发现HF 浓度和电流强度是两个主要的影响因素。HF浓度高，形成的孔粗且较直；浓度低，形成的孔细且不直。电流大，有利于形成大直径的深孔；电流小，有利于形成规则的表面图案。本文通过控制在制备过程中的浓度和电流强度从而得到了规则的多孔阵列。
多孔硅 光子晶体 电流强度 制备方法
方斌 李东升 赵岳 杨德仁
硅材料国家重点实验室,浙江大学,杭州,310027
国内会议
杭州
中文
2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）