SBN60铁电薄膜横向电光系数及M-Z波导半波调制电压的研究

摘要：

本文主要介绍MgO 衬底上掺K 和不掺K 的SBN60 铁电薄膜的横向电光系数的测量，实验测得不掺K 的SBN60 薄膜值为37.6/pmV，掺K的r51值为58.5 / pm V ，并由此设计一种MgO 衬底上M-Z 型SBN60 薄膜波导调制器，计算出掺K的此种波导调制器半波调制电压为10V，不掺K的半波电压值为16V，结果说明掺入K 离子能有效的减少其半波调制电压。

关键词： 电光系数 薄膜波导调制器 半波调制电压 铁电薄膜

作者: 沈智如 叶辉 曹晓燕 郭冰

作者单位: 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会2004年学术大会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）