3～5μm波段InAlAs/InGaAs QWIP特性研究

关键词： 3～5μm波段 InAlAs/InGaAs QWIP 半导体材料

作者: 张永刚 李全魁 任尧成 李爱珍 陈建新 中国科学院上海冶金研究所

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室(上海) 中国科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 183-185

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）