硅三极管对静电放电最敏感端对的试验研究

摘要：

试验发现高频低噪声硅晶体三极管对静电放电(ESD)电磁脉冲的最敏感端对是CB结,这一结果与大量参考资料中三极管ESD最敏感端对是EB结的理论不相符.针对这一问题,选取高频低噪声硅晶体三极管、低频小功率硅晶体三极管和低频大功率硅晶体三极管三类器件为样品,采用人体模型(HBM)静电放电(ESD)直接注入法分别对它们进行ESD最敏感端对的试验研究.

关键词： 硅晶体三极管 静电放电 最敏感端对

作者: 杨洁 祁树锋 刘红兵 刘尚合

作者单位: 军械工程学院,静电与电磁防护研究所,石家庄,050003 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050000

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第十三届静电学术年会

会议地点: 石家庄

会议语种:中文

页码: 290-292

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）