ESD对2SC3356造成的积累效应研究
本文研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件2SC3356造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356从CB结施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以在2SC3356中引入潜在性失效,并且连续的ESD对其有积累效应;并且低于损伤阈值的ESD应力,达到一定的电压水平和一定的次数后,2SC3356会失效.
ESD 微电子器件 潜在性失效
祁树锋 刘尚合 杨洁 巨楷如
军械工程学院静电与电磁防护研究所,石家庄,050003
国内会议
石家庄
中文
278-281
2006-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)