不同ESD模型对集成电路的损伤效应研究

摘要：

在三种标准的ESD模型下对某集成电路器件进行了注入损伤效应实验,结论有:建立起了集成电路芯片上的功率和能量(含平均值和峰值)与ESD放电电压之间的关系模型,可表示为函数:Y=AXB;不同ESD模型下器件的损伤阈值变化范围在2倍以内且同一个参数阈值均处于同一个数量级上;建立起了器件注入通路上的平均电阻模型,它与平均电流的关系可表示为函数:Y=CX-D.

关键词： ESD模型 集成电路 损伤效应

作者: 陈京平 刘尚合 谭志良 贺其元

作者单位: 军械工程学院静电与电磁防护研究所,石家庄,050003

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第十三届静电学术年会

会议地点: 石家庄

会议语种:中文

页码: 248-251

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）