深亚微米CMOS集成电路ESD保护技术研究综述

摘要：

随着CMOS技术进入深亚微米领域,CMOS器件薄栅氧化层厚度、PN结更浅及器件沟道更短,这就导致CMOS集成电路容易遭受ESD损害(只需较低的能量和电压就可以损坏CMOS器件).因此,CMOS器件的ESD保护变得既重要,又更加困难.本文介绍深微米CMOS集成电路ESD保护技术的最新进展,探讨CMOS器件保护电路设计和优化中出现的问题,并进行详细讨论.

关键词： ESD保护 集成电路 CMOS保护器件

作者: 李学文 孙可平 李学军

作者单位: 上海海事大学电磁兼容与静电研究室,上海,200135 甘肃中医学院学生处,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第十三届静电学术年会

会议地点: 石家庄

会议语种:中文

页码: 238-243

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）