ESD保护电路中MOSFET器件的建模与仿真

摘要：

本文描述了在ESD条件下MOSFET中寄生双极晶体管的工作原理,讨论了雪崩击穿过程,对nMOS和pMOS晶体管进行了电路级仿真.

关键词： ESD 保护电路 仿真

作者: 李海燕 张灵振 王庆国

作者单位: 邮电职业技术学院培训部,河北,石家庄,050011 军械工程学院基础部,河北,石家庄,050003 军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第十三届静电学术年会

会议地点: 石家庄

会议语种:中文

页码: 37-40

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）