沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响
采用等离子体化学汽相沉积(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜.研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度.实验结果表明,沉积功率为140 W时薄膜沉积速率最大,达到7.8 nm/min.沉积功率为30 W多晶硅薄膜的晶粒较大,平均尺寸200 nm左右.沉积功率为100 W薄膜有较高结晶度,晶化率达到68％.薄膜样品在波长为500 nm的光吸收系数达到6×104 cm-1,在不同功率下样品的光学禁带宽度在1.70-1.85 eV之间变化.
多晶硅薄膜 沉积速率 吸收系数 光学带隙
沈峰 夏冬林 李蔚 赵修建
武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070
国内会议
武汉
中文
172-175
2007-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）