离子注入形成SiC纳米颗粒的发光性能研究

摘要：

用离子注入法将Si、C离子注入到非晶二氧化硅中,样品分别在600 ℃,800 ℃和1 100 ℃进行了退火,并在1 100 ℃时作了1 h、2 h、3 h和4.5 h的退火.用透射电镜(TEM)和光致发光(PL)研究了退火温度以及退火时间对样品的微结构和发光特性的影响.实验表明,退火后样品中形成了SiC纳米颗粒,PL谱中观察到了缺陷和SiC纳米颗粒的发光.

关键词： 碳化硅 光致发光 纳米颗粒 热退火

作者: 李慧 卢卓宇 蒋昌忠 任峰 肖湘衡 蔡光旭

作者单位: 武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室,武汉,430072;武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国硅酸盐学会特种玻璃分会第三届全国特种玻璃会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 97-100

在线出版日期: 2007-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）