退火时间对电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜的影响

摘要：

以氢气稀释的硅烷(SiH4)为气源,利用PECVD方法在普通玻璃基片上生长a-Si薄膜.采用外加横向电场辅助的金属铝诱导晶化的方法,在氮气气氛条件下对a-Si薄膜样品进行快速退火制备poly-Si薄膜.采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜等测试手段研究了不同的退火时间对a-Si薄膜晶相结构、晶化率和表面形貌的影响.实验结果表明,电场辅助的铝诱导a-Si薄膜晶化效果较无外场作用显著加强,并且随着退火时间的延长,非晶硅薄膜的晶化效果增强.

关键词： 太阳电池 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 铝诱导晶化 外加电场

作者: 夏冬林 郝江波 姜宏 赵修建

作者单位: 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070 中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司,洛阳,471009

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国硅酸盐学会特种玻璃分会第三届全国特种玻璃会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 260-263

在线出版日期: 2007-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）