硅多条两维位置灵敏探测器的研制
描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制备工艺技术及性能测试初步结果.这种探测器的灵敏面积为50×50 mm2.P掺杂面被等分成相互平行的长度为50mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间隔为100μm.硅条P掺杂层是一层均匀分布的电阻层,利用电荷分除法,可以得到入射粒子在该条上的位置(Y位置).当探测器工作在全耗尽偏压下时,大部分单条的反向漏电流＜30 nA.对239Pu α粒子得到能量分辨率＜2.5％,位置分辨＜0.5mm.
平面工艺 硅多条 两维位置灵敏 探测器 能量分辨 位置分辨
谭继廉 宁宝俊 王玮 张录 靳根民 段利敏 卢子伟 袁小华 张玲 肖国青 徐瑚珊 田大宇
中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州,730000 北京大学微电子所,北京,100871
国内会议
西安
中文
301-304
2006-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）