低温生长Si层中掺锑对上层SiGe虚拟基片中应变的影响

摘要：

本文通过分析论证：SiGe虚拟基片是制备具有应变的SiGe/Si基异质结构的基础,其应变状态直接影响成长于其上的SiGe/Si基异质结构的应变并进而影响后者的光电特性.本文利用固源分子束外延技术在低温生长的Si层(LT-Si)上沉积SiGe虚拟基片,通过高分辨X射线衍射研究了在LT-Si中掺锑对SiGe虚拟基片的应变状态的影响.结果表明在LT-Si中掺锑可以有效地调制SiGe虚拟基片的应变弛豫状态.作为表面活化剂的锑在LT-Si表面的偏聚可能是SiGe虚拟基片的应变发生快速弛豫的主要原因.

关键词： 虚拟基片 掺锑 应变调制 X射线衍射 弛豫状态

作者: 谭伟石 蔡宏灵 吴小山 邓开明 郑鸿祥

作者单位: 南京理工大学理学院应用物理系,南京,210094 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 台湾大学凝态科学研究中心,台北

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 272-276

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）