Zn掺杂的SnO2纳米线的制备与结构表征

摘要：

本工作利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.并利用X射线衍射(XRD),能谱分析(EDX),场发射扫描电镜(FE-SEM),透射电镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS)等对其形貌和结构特征进行了表征.

关键词： 氧化锡纳米线 化学气相沉积 催化剂 硅片

作者: 孟慧 王聪

作者单位: 北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 229-232

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）