ECR-PEMOCVD生长GaN基掺锰稀磁半导体的研究

摘要：

本文利用ECR-PEMOCVD(电子回旋共振-等离子体增强金属有机化学气相沉积)方法,采用二茂锰作为锰源,氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为镓源,在蓝宝石衬底上外延生长出具有一定Mn含量且晶质较好的GaMnN稀磁半导体薄膜.并通过XRD、AFM、RHEED、电子探针、拉曼光谱等分析手段对样品进行了分析.

关键词： 稀磁半导体薄膜 ECR-PEMOCVD GaMnN基 电子回旋共振 等离子体增强 金属有机化学气相沉积 外延生长 拉曼光谱

作者: 秦福文 吴爱民 吴东江 王叶安

作者单位: 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 422-427

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）