超薄SiNx薄膜腐蚀及摩擦磨损性能研究
本试验利用微波ECR等离子体增强非平衡反应磁控溅射方法制备出不同厚度的超薄SiNx薄膜,并利用傅立叶变换红外光谱方法对所制备薄膜的结构进行了表征.利用纳米压痕仪、轮廓仪、摩擦磨损仪、扫描电子显微镜等设备对所制各薄膜的性能进行了测试.实验结果表明,N2流量为2sccm时,所制备薄膜的N/Si比为1.33,接近Si3N4化学配比,此时超薄SiNx薄膜具有最佳力学性能,摩擦系数约为0.1,薄膜经过20min磨损实验后,没有出现破裂、犁沟等破坏现象.此外,所制备薄膜在Ce(NH4)2(NO3)6溶液中腐蚀24h后,表面没有观察到蚀坑等腐蚀痕迹.这些性质使超薄SiNx薄膜成为磁头、磁盘保护膜的优秀竞争者.
磁控溅射 超薄氮化硅薄膜 摩擦磨损性能 红外光谱 结构表征
丁万昱 徐军 高鹏 陆文琪 邓新绿 董闯
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
国内会议
北京
中文
369-374
2006-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)