基体负偏压对SiCN薄膜结构和性能的影响
Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料.本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征.研究表明基体负偏压是影响薄膜结构和性能的重要参数.随着基体负偏压的增大(-50～-250 V),薄膜表面光滑平整;硬度值保持在25GPa以上,在偏压为-150V时硬度最大,为27.5GPa;薄膜中Si-C-N键含量保持在40％左右,C-N键含量先增加后减小;薄膜为非晶结构.上述结果表明由于基体偏压的增加,薄膜中的高键合能的C-N键的含量,膜中Si、C、N各元素的化学配比发生改变,导致薄膜结构和性能的变化.
微波-ECR SiCN薄膜 非平衡磁控溅射 薄膜结构 基体负偏压 介电材料
高鹏 徐军 朴勇 丁万昱 王德和 董闯
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
国内会议
北京
中文
362-368
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）