衬底偏压对纳米碳化硅薄膜的微观结构和能带结构的影响
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术(HWP-CVD)以SiH4、CH4和H2为反应气体在Si(100)和康宁玻璃衬底进行了纳米SiC薄膜沉积.傅立叶红外光谱显示,吸收谱中800cm-1附近Si-C吸收峰谱线线型中洛伦兹成分随偏压增加呈现先增加后减小的趋势,2100cm-1和2900cm-1处对应的Si-H、C-H吸收的谱线吸收强度随偏压的增加而发生变化,而其峰位向高波数方向移动;晶态薄膜的X射线分析显示碳化硅主要呈现3C-SiC结构;紫外-可见透射光谱分析结果表明,提高衬底偏压所导致的高晶化度会引起薄膜光学带隙Eg增加和光学带尾宽度Eu的减小,然而,在较高的偏压作用下,晶粒表面氢、晶粒尺寸及晶化度等因素的共同作用使薄膜呈现出带隙Eg减小和带尾宽度增加的趋势。
纳米碳化硅薄膜 化学气相沉积 能带结构 衬底偏压 傅立叶红外光谱
于威 崔双魁 路万兵 张立 傅广生
河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
国内会议
北京
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327-331
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）