掺NbITO膜的光电性能研究

摘要：

本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响.通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射(XRD)及靶的电子能谱仪(EDX)对样品进行测试分析,得到以下结论:掺铌ITO膜电阻率最小可达到2.583×10-4Ω·cm,平均透光率可达75％以上.ITO膜沿(400)晶面择优生长.

关键词： 掺铌ITO膜 掺杂Nb 光电性能 直流磁控溅射法 晶面生长

作者: 丁照崇 张维佳 金飞 闫兰琴 张心强 武美伶 贾士亮 王天民

作者单位: 北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 292-296

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）