射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究

摘要：

利用磁控射频溅射法在石英衬底上制备了纳米SiC薄膜.研究了衬底温度对薄膜的结构,电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)与原子力显微镜(AFM)结果表明,衬底温度为700℃时制备的薄膜是由平均直径为70nm结晶状态良好的4H-SiC纳米颗粒组成.实验测量了样品的电导率随温度的变化关系,并计算出相应的电导激活能.利用紫外-可见分光光度计研究了衬底温度对薄膜光学性能的影响,结果表明纳米SiC薄膜的光学带隙可以通过改变衬底温度来调节.这种带隙可调的纳米SiC薄膜在未来的光电器件应用领域将会有一定的实用价值.

关键词： 磁控射频溅射法 纳米SiC薄膜 电导率 透过谱 光学性质

作者: 张军 林洪峰 付玉军 叶凡 谢二庆 邵乐喜

作者单位: 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;湛江师范学院信息科技学院,湛江,524048 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 湛江师范学院信息科技学院,湛江,524048

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 287-291

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）