磁控溅射低温制备ZnO:Al透明导电薄膜及其特性研究

摘要：

采用锌铝(2％)合金靶,保持真空腔在50℃低温下,运用直流反应磁控溅射法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、半导体霍尔测试、红外发射率测试仪等手段对薄膜进行了表征.薄膜呈C轴择优取向的六角纤锌矿结构;具有致密平滑的表面形貌;最佳工艺下样品在550nm波长处透过率达93％;最低电阻率为4.99×10-4Ω·cm;8～14 μm波段平均红外发射率在0.3～0.54之间.分析了溅射过程中氧流量百分比和功率对上述特性的影响及各特性间的关系,讨论了薄膜在8～14 μm波段平均红外发射率与其方块电阻的关系.

关键词： ZAO膜 低温制备 磁控溅射 红外发射 透明导电薄膜

作者: 王涛 刁训刚 丁破 舒远杰 武哲

作者单位: 北京航空航天大学理学院,北京,100083 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川,绵阳,621900 北京航空航天大学航空科学与技术学院,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 280-286

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）