宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的研究报道

摘要：

本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景.MgxZn1-xO薄膜结合了ZnO和MgO的材料性能,具备禁带宽度连续可调的优势,近年来已经成为人们普遍关注的半导体光电功能材料与器件之一.此外,本文还简要介绍了本实验室关于ZnO薄膜的研究进展,以此作为进一步研究MgxZn1-xO薄膜的理论依据,并且也为紫外光探测器的制备打下了良好的基础.

关键词： MgxZn1-xO薄膜 Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体 宽禁带半导体 光学性能 紫外光探测器

作者: 赵莉 庞小凤 于磊 张志勇

作者单位: 北京航空航天大学理学院,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 269-274

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）